サムスン電子とSKハイニックスの中核となる半導体技術を中国企業に渡したとして、元サムスン電子の幹部ら10人が起訴されました。
 
ソウル中央地方検察庁の情報技術犯罪捜査部が発表したところによりますと、23日、サムスン電子とSKハイニックスの出身者5人を、不正競争防止法および産業技術保護法違反の罪で逮捕し、起訴したということです。

また、中国のDRAM大手、CXMT=長鑫存儲技術（チャンシンメモリーテクノロジーズ）の社員5人についても、同じ罪で在宅起訴しました。
 
検察によりますと、CXMTは2016年に設立された中国の半導体メーカーで、半導体メモリのDRAMの生産を主力としています。
 
起訴されたサムスン電子出身者の一部は、2016年ごろにCXMTに転職したあと、サムスン電子のDRAM製造工程に関する中核技術情報を、手書きで書き写す方法などで流出させた疑いが持たれています。
 
検察はこの過程で、サムスン電子が長年にわたり投資して開発した10ナノ級の工程技術に加え、SKハイニックスの国家中核技術も組織的に流出したとみています。

この国家中核技術は、半導体などの先端技術が海外へ流出するのを防ぐために厳しく管理・保護されるもので、国家中核技術を故意に流出させた場合は、処罰の対象となります。
 
こうした技術流出が中国企業によるDRAMの量産成功と時期的に重なっている可能性があるとして、これによる韓国経済への被害額は数十兆ウォン規模にのぼるおそれがあるとしています。
 
検察は現在、海外に滞在している共犯者について、インターポールに国際手配を要請するなど、捜査を続けています。