三星電子は24日、次世代スマートフォンに搭載する3GBモバイル用記憶素子＝DRAMの量産を開始したほか、年末までにさらに小型化した高性能なDRAMを開発する計画です。
量産を開始したDRAMは、世界で最も小さい20ナノ級のチップ6個を3段につみ合わせたもので、スマートフォンをより薄くすることができ、バッテリーを収納するスペースをより広く確保でき、高画質の映像を鑑賞しながら別の作業も並行することができるということです。
三星電子では、今年下半期に発売予定の「ギャラクシーノート3」にこのDORAMを搭載するということです。
また、サムスン電子では、年末までにより小型化して性能を高めた新しいモバイル用DRAMを開発する計画で、モバイル用DRAM市場で引き続き有利な地位を保ちたいとしています。