政府は、三星電子が中国に半導体工場を建て、10ナノメートル(ナノは10億分の1)台のNAND型フラッシュメモリーの製造技術を韓国国外に持ち出す申請を承認しました。
三星電子は、スマートフォンの普及でNAND型フラッシュメモリーの需要が増え、さらに中国市場が急成長していることから、中国での製造が欠かせないとして、中国に12インチウェハを毎月10万枚製造できる半導体工場を建設する方針を決め、先月6日、知識経済部に申請を出していました。
これを受けて政府は、2回にわたって産業技術保護専門委員会を開いて検討した結果、三星電子の申請を受け入れることにしました。
しかしこの技術が韓国の中核となる技術であるため、三星電子に技術流出を防ぐ対策を講じるように求め、政府が定期的に点検することになりました。
韓国政府が申請を承認したことによって、三星電子は工場建設地の選定など中国での許認可手続きを、上半期中に終えて工場建設にとりかかり、来年下半期から製造を始められるようにしたいとしています。
また政府は韓国での投資が縮小する可能性など、景気を後退させる懸念についても対策を講じるよう三星電子に求めました。
これに対して三星電子は、中国で設備投資を行う際、韓国製の設備を取り入れる割合を高めるとしています。
また韓国でも、これまでの忠清南道華城(ファソン)市以外に、京畿道平澤(ピョンテク)市にも工場を建設し、メモリー分野だけでなくシステム半導体分野の投資も行うとしています。