韓国最大手の三星電子と日本の東芝、アメリカのインテル社などが共同で次世代半導体の製造技術を開発する国際プロジェクトが始まったと日本経済新聞が18日、報じました。
それによりますと、このプロジェクトには韓国、日本、アメリカに台湾も加わっており、2016年までに半導体回路の路線の幅を今の半分以下となる10ナノメートルまでに縮小させて、半導体の容量をさらに大きくするということです。
プロジェクトをリードしているのは東芝など日本の企業11社で、共同出資による開発センターを立ち上げ、経済産業省の支援を受けて茨城県つくば市の研究開発センターで共同開発を進めるとしています。
日本の官民によって作られた開発プロジェクトに外国の半導体大手が参加するのは初めてだということです。
三星電子と東芝は開発される10ナノの技術を、携帯電話の製造などで使われるナンド形フラッシュメモリーなどに活用する見込みで、実現しますと、切手サイズのメモリー半導体に高画質の映画100本など、今より3倍の容量を盛り込むことができます。