三星電子の半導体コア技術が6年間にわたり、下請け企業を通じてライバル会社であるハイニックス半導体に大量に流出していたことがわかりました。
ソウル東部地検は3日、三星電子の半導体製造技術と営業機密をハイニックスに渡した疑いで、アメリカの半導体装置メーカー、ＡＭ社の副社長(47)と、この会社の韓国法人ＡＭＫ社のチーム長(41)の合わせて2人を逮捕し、ＡＭＫ社の社員7人を書類送検しました。
検察はまた、営業機密を受け取った側のハイニックス半導体の専務(51)を逮捕し、機密流出に関わったハイニックスと三星両社の社員8人を書類送検したほか、三星電子で上級研究員として勤めながら技術を流出し、ＡＭ社に転職した男を指名手配しました。
検察によりますと、これらの容疑者は2005年3月から最近まで、三星の主力である半導体メモリーDRAMと、データー保存用のNAND型フラッシュメモリーの製造工程など、営業機密95件を持ち出し、13件をハイニックスに流出させた疑いがあります。
ＡＭＫの社員は、製造装置の設置など、下請けとして三星電子に出入りし、その際に機密文書を持ち出したり、親しい社員から口頭で情報を得るなどして機密を入手したということです。
また、今回流出した情報の中には、三星が世界で初めて開発した30ナノ級DRAM工程の順序や装置のほか、半導体製造工程、半導体生産ラインの投資契約や次世代半導体の開発計画、取引先情報など、最重要技術も含まれているということです。
今回の技術流出によって三星電子が被る直接的な被害は数千億ウォンと推定され、後発業者との技術格差が縮まったことによる間接的な被害を合わせると、被害額は数兆ウォンに上るということです。
これに対し、ハイニックス側は、「三星の技術はまったく活用していない。今回の事件は一部社員による非公式の情報収集過程で発生したもので、裁判で真実が明らかになることを期待する」と述べました。