韓国最大手のメーカー三星電子は、世界で初めて４０ナノ工程を適用した次世代Ｄラム半導体の量産を開始することになりました。
三星電子は２１日、４０ナノ級の工程を適用した２ギガビット（Ｇｂ）容量のＤラム半導体の量産を今月末から開始すると発表しました。
ナノは１０億分の１メートルという単位で、小さければ小さいほど、半導体を製造する際の薄く丸いシリコン板の上に組み込む回路の幅を縮め、性能を向上させることができるもので、三星電子は４０ナノ級のＤラム半導体を開発から６か月で量産体制に入ることになります。
これについて三星電子は「４０ナノ級のＤラム半導体は、現在、最も好評を得ている５０ナノ級より電力消費が少ないため環境にやさしいうえ、高性能の製品を製造できるようになった。
今後、サーバー用の機材からノート型パソコンまで、大容量を必要とする製品に利用する計画だ」と述べました。