SK hynix a annoncé, hier, avoir réussi à développer un module de ram DDR5 à 10 nanomètres d’une capacité de 16 gigabits de sixième génération. C’est une première mondiale.

La vitesse de fonctionnement du DDR5 de sixième génération, qui sera principalement utilisé dans les centres de données haute performance, est de 8 gigabits par seconde. Il s’agit d’une vitesse 11 % plus rapide que celle de la génération précédente. Son efficacité énergétique a été améliorée de plus de 9 %.

Le fabricant sud-coréen de semi-conducteurs envisage d'appliquer cette technologie aux futurs mémoires à large bande passante (HBM) de septième génération, tels que l’HBM4E. Il prévoit de finaliser les préparatifs pour la fabrication en série du nouveau DDR5 et de commencer la fourniture des produits l'année prochaine.