韩国国际广播电台报道：SK海力士在全球首次成功开发出DRAM中最微细化的第六代10纳米级工艺。 
 
SK海力士29日宣布，该公司已经成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（千兆位） DDR5 DRAM。
 
SK海力士表示，随着10纳米级DRAM技术的一代代更新，微加工的难度变得极高，但公司基于业界最高性能认可的第五代技术力，通过提高设计完成度，率先突破了技术极限。
 
SK海力士计划年内完成第六代DDR5的量产准备，并从明年开始正式供应产品。
 
第六代DDR5主要用于高性能数据中心，其运行速度为8Gbps（每秒千兆），比前一代快11%，能效提高了9%以上。SK海力士将在未来第七代高带宽存储器（HBM）HBM4E等方面应用该技术。
 
SK海力士DRAM开发副社长金钟焕表示，将继续保持在DRAM市场的领先地位，巩固作为人工智能内存解决方案企业的地位。