9 мая компания Samsung Electronics ввела в эксплуатацию свой новый  завод по производству полупроводников, построенный в городе Сиань китайской провинции Шэньси. В торжественной церемонии пуска завода приняли участие посол РК в Китае Кван Ён Сэ,  замминистра торговли, промышленности и энергетики РК Ким Чжэ Хон и вице-президент компании Квон О Хён. На строительство завода, которое длилось 20 месяцев, было затрачено примерно 7 млрд. долларов. Его площадь составляет 230 тыс. кв.метров. Строительство завода длилось примерно 20 месяцев. На нём Samsung начал производство инновационной V-NAND памяти с трехмерной структурой упаковкой чипа и вертикальным расположением ячеек. Это второй завод компании по производству полупроводников за рубежом после производственной площадки в США. На нём будут работать 2 тыс. человек, в том числе, 1.300 граждан Китая.