Le sud-coréen Hynix Semiconductor vient de mettre au point une mémoire vive DRAM DDR3 de 1 gigabit en utilisant une finesse de gravure de 44 nanomètres. C’est une première mondiale.

Selon le numéro deux mondial des semi-conducteurs, son nouveau processus de gravure en 44 nanomètres permettra d’améliorer les rendements de production de près de 50% par rapport au précédent processus en 54 nanomètres.

Et la production en masse doit commencer au courant de l’année.